Packaging:
Bulk
Series:
HEXFET®
ProductStatus:
Active
FETType:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss):
60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:
86A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):
10V
RdsOn(Max)@IdVgs:
3.4mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id:
4V @ 150µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:
195 nC @ 10 V
Vgs(Max):
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:
6600 pF @ 48 V
FETFeature:
-
PowerDissipation(Max):
75W (Tc)
OperatingTemperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType:
Through Hole
分类:
数据表:
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(1)在90天内通知我们
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